聚类工具

0
帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 检索结果
排序:
期刊文章 TiSi2在微波低噪声SiGeHBT中的应用
出处:半导体技术 2006年第1期 40-43,共4页
摘要:通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiG... 显示全部
关键词: 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声
期刊文章 SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取
出处:微电子学 2011年第5期 746-750,共5页
摘要:提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各... 显示全部
关键词: 参数提取 锗硅异质结双极晶体管 模型
在线阅读 下载全文
期刊文章 不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究
出处:物理学报 2013年第19期375-381,共7页
摘要:对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),在不同辐照剂量率下进行60 Coγ射线的辐照效应... 显示全部
关键词: 锗硅异质结双极晶体管 低剂量率辐照损伤增强 辐照效应
在线阅读 下载全文
找到3条结果
`