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期刊文章 感应耦合等离子体干法刻蚀锑化铟薄膜研究
出处:固体电子学研究与进展 2004年第3期 386-389,共4页
摘要:应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.朗缪尔探针诊断结果表明:射频电源功率为200 W... 显示全部
关键词: 干法刻蚀 等离子体 锑化铟薄膜
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