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期刊文章 非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型
出处:微电子学 2011年第1期150-154,共5页
摘要:当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内... 显示全部
关键词: 非晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 空穴传导 逃逸率
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