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期刊文章 AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟
出处:科学技术与工程 2006年第23期 4682-4684,4694,共4页
摘要:由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原... 显示全部
关键词: 二维电子气 导带差 极化 自洽求解
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