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期刊文章 升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜
出处:半导体技术 2008年第2期 117-120,共4页
摘要:成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件... 显示全部
关键词: 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜
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