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期刊文章 瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理
出处:北京师范大学学报:自然科学版 1990年第1期 13-18,共6页
摘要:5×1016cm-2的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随... 显示全部
关键词: 离子注入 半导体 退火 漏电
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期刊文章 低压用电系统中的漏电保护技术措施
出处:农机化研究 2002年第4期 168-169,共2页
摘要:漏电是电气事故发生的重要原因,防止漏电事故发生的重要措施是研究和推广漏电保护技术。为此,探讨了低压... 显示全部
关键词: 低压用电系统 漏电 保护技术 危害
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