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期刊文章 SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理
出处:华南理工大学学报:自然科学版 1995年第12期 82-88,共7页
摘要:研究了温度从100-423K范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发... 显示全部
关键词: 氮氧化硅 二氧化硅 电子陷阱 薄膜 温度依赖性
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