作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 华南理工大学理学院应用物理系

出　　处： 《华南理工大学学报（自然科学版）》 1995年第12期82-88,共7页

摘　　要： 研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。 Temperature dependence of the high-field electron trapping in thin nitrided oxide films and in thin SiO2 film for temperature ranging from 100～423 K are investigated. It is found that in the investigated temperature range, when the temperature decreases the effective surface density of the electron traps in the nitrided oxide films increases: whereas it decreases for thin SiO2 film decreases. The energy levels of the effective electron traps at high field for the SiO2concentrate at very narrow energy range. The thermal generation rate is found to be 1. 283 × 1010/(cm2. K) and its activation energy is 0. 192 eV. Based on these results, a model for the electron traps generated at high field in thin SiO2 is proposed.

关 键 词： 氮氧化硅 二氧化硅 电子陷阱 薄膜 温度依赖性

领　　域： [电子电信]