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期刊文章 SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理
出处:华南理工大学学报:自然科学版 1995年第12期 82-88,共7页
摘要:研究了温度从100-423K范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发... 显示全部
关键词: 氮氧化硅 二氧化硅 电子陷阱 薄膜 温度依赖性
期刊文章 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
出处:电子学报 1993年第11期 91-94,共4页
摘要:本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方... 显示全部
关键词: 漏电流 氮氧化硅 浅陷阱 击穿
期刊文章 PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究
出处:功能材料 1996年第6期 530-533,共4页
摘要:本文研究了PECVD方法制备Si-O-M系梯度薄膜材料,并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率... 显示全部
关键词: 氮氧化硅 梯度薄膜 薄膜
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