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期刊文章 退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响
出处:佳木斯大学学报:自然科学版 2007年第2期 192-195,共4页
摘要:采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 暗电导率 光学带隙
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期刊文章 多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
出处:韩山师范学院学报 2004年第3期 61-64,共4页
摘要:采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 晶化率 暗电导率 散射谱 半导体器件
期刊文章 射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响
出处:真空 2012年第4期83-86,共4页
摘要:采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用... 显示全部
关键词: 微晶硅薄膜 射频功率 拉曼光谱 暗电导率
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