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期刊文章 赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4电子结构和光学性质
出处:激光与光电子学进展 2007年第2期30-30,共1页
摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明... 显示全部
关键词: 族磷化物 电子结构 光学性质 第一性原理
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