作　　者： ; ; ;

机构地区： 复旦大学信息科学与工程学院先进光子学材料与器件国家重点实验室

出　　处： 《激光与光电子学进展》 2007年第2期30-30,共1页

摘　　要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数。研究结果为这类材料的应用提供了理论依据。

关 键 词： 族磷化物 电子结构 光学性质 第一性原理

领　　域： [理学] [理学]