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期刊文章 SiGe HBT器件的可靠性技术
出处:微电子学 2007年第2期 210-213,共4页
摘要:介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点,对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论,进而分析了影响其可靠... 显示全部
关键词: 异质结双极晶体管 加速寿命试验 可靠性 热载流子效应
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期刊文章 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT
出处:半导体学报 2003年第9期 897-902,共6页
摘要:研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料,研... 显示全部
关键词: 锗硅 异质结双极晶体管 微波功率放大器
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期刊文章 SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
出处:微纳电子技术 2003年第10期 15-16,41,共3页
摘要:在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大... 显示全部
关键词: 制造工艺 湿法腐蚀 异质结双极晶体管 超高真空低压化学汽相淀积 硅锗
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