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期刊文章 用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉
出处:半导体学报 2005年第10期 2001-2005,共5页
摘要:提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基... 显示全部
关键词: 宽带硅基过渡热沉 高速电吸收调制器 高阻率硅衬底 低损耗共面波导 薄膜电阻
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