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期刊文章 金属──氧化硅──硅(MOS)器件物理研究
出处:中国科技奖励 1994年第2期15-15,共1页
摘要: 金属──氧化硅──硅(MOS)器件物理研究郑耀宗(香港城市理工学院)早在20年代初期,场效应晶体管... 显示全部
关键词: 氧化硅 器件物理 介质膜 生长机理 超大规模集成电路 生长工艺 场效应晶体管 生长技术 快速热氮化 实验数据
期刊文章 PMOSFET的NBTI效应
出处:半导体技术 2005年第5期 62-66,27,共6页
摘要:随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI... 显示全部
关键词: 场效应晶体管 负温度不稳定性 栅氧化层可靠性 器件失效
期刊文章 聚合物薄膜场效应晶体管研究进展
出处:现代显示 2006年第5期 53-58,共6页
摘要:有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路... 显示全部
关键词: 聚合物 场效应晶体管 有机薄膜场效应晶体管 薄膜晶体管
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期刊文章 SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
出处:科学通报 2009年第5期662-667,共6页
摘要:在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中,SWCNT场效应晶体管(SWCNTFET)作为最基本的构... 显示全部
关键词: 单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳装配 场效应特性改善
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