作　　者： ;

机构地区： 香港城市理工学院

出　　处： 《中国科技奖励》 1994年第2期15-15,共1页

摘　　要： 金属──氧化硅──硅（ＭＯＳ）器件物理研究郑耀宗（香港城市理工学院）早在２０年代初期，场效应晶体管的概念已经发展。然而，由于当时的工艺条件尚未成熟，以及对带电载流子表面传输的物理尚未清楚，场效应管一直未被广泛应用。直到６０年初期，在众多科学家共同努力...

关 键 词： 氧化硅 器件物理 介质膜 生长机理 超大规模集成电路 生长工艺 场效应晶体管 生长技术 快速热氮化 实验数据

领　　域： [电子电信]