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期刊文章 a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜
出处:浙江师范大学学报:自然科学版 2002年第3期 246-249,共4页
摘要:利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700~800℃),采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 固相晶化法 薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度
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