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期刊文章 一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法
出处:半导体技术 2003年第11期 26-28,共3页
摘要:在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,... 显示全部
关键词: 线性拟合 工艺刻蚀 四探针 外延层厚度 掺杂浓度 测量 加工工艺 双极性晶体管
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