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期刊文章 金属──氧化硅──硅(MOS)器件物理研究
出处:中国科技奖励 1994年第2期15-15,共1页
摘要: 金属──氧化硅──硅(MOS)器件物理研究郑耀宗(香港城市理工学院)早在20年代初期,场效应晶体管... 显示全部
关键词: 氧化硅 器件物理 介质膜 生长机理 超大规模集成电路 生长工艺 场效应晶体管 生长技术 快速热氮化 实验数据
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