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期刊文章 GaAs MMIC钝化层介质Si3N4的可靠性评价
出处:华南理工大学学报:自然科学版 2005年第12期 92-95,104,共5页
摘要:在斜坡电压应力条件下对GaAs MMIC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间... 显示全部
关键词: 击穿 寿命预测 氮化硅
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期刊文章 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
出处:电子学报 1993年第11期 91-94,共4页
摘要:本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方... 显示全部
关键词: 漏电流 氮氧化硅 浅陷阱 击穿
期刊文章 激光诱导火花点火击穿阈值分析及试验对比
出处:激光杂志 2011年第5期 39-41,共3页
摘要:激光诱导火花点火具有点燃稀混合气从而降低排放的潜力,因此成为近年来内燃机燃烧的研究热点之一。对激光... 显示全部
关键词: 激光 火花 点火 击穿 内燃机
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