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期刊文章 五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究
出处:电子质量 2007年第4期 1-3,共3页
摘要:本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术... 显示全部
关键词: 微电子技术 栅介质 五氧化二钽 电学特性
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期刊文章 添加ZrO2对Ta2O5陶瓷结构与性能的影响
出处:硅酸盐学报 2010年第8期1499-1502,共4页
摘要:以ZrO2和Ta2O5粉体为原料,采用固相反应法制备了ZrO2掺杂Ta2O5陶瓷。研究了ZrO2掺杂对Ta2O5陶瓷的相组成、... 显示全部
关键词: 五氧化二钽 氧化锆 相变 抗弯强度 抗热震性
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