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期刊文章 TiSi2在微波低噪声SiGeHBT中的应用
出处:半导体技术 2006年第1期 40-43,共4页
摘要:通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiG... 显示全部
关键词: 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声
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