摘要：硫化锑（Sb2S3）是一种带隙1.5-1.7 e V的直接带隙半导体,环境友好、成本低廉且稳定,是潜在高性能太阳能电...硫化锑（Sb2S3）是一种带隙1.5-1.7 e V的直接带隙半导体,环境友好、成本低廉且稳定,是潜在高性能太阳能电池材料。当前硫化锑薄膜太阳能电池仍面临Voc和PCE低的问题,主要与电子提取能力低和深能级缺陷有关。本项目利用单源热蒸发法Sb2S3粉体制备薄膜,通过锂盐掺杂Ti O2提高电子传输层对硫化锑吸收层的电子提取性能,使得基于多孔Ti O2的硫化锑薄膜太阳能电池的光电转化效率从显示全部
