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会议论文 M面非极性GaN材料MOCVD生长和特性研究
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物... 显示全部
关键词: 生长 非极化材料 薄膜材料 氮化物半导体
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