摘要：随着具有铁磁性半导体(比如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors DMS)近...随着具有铁磁性半导体(比如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors DMS)近来吸引了众多研究者的目光,这是因为传统半导体是不具磁性的,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其他性质的情况下引入磁性,具有优异的磁、磁光、磁电性能,在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域具有重要应用,已成为当今材料研究领域中的热点。由于制备高质量的DMS薄膜难度太大,而制备纳米颗粒的手段相对简单,改变生长条件易于控制纳米颗粒的尺寸和形貌,进而影响纳米颗粒DMS的物理性能。所以本论文对于纳米颗粒DMS(Co与Cu共掺杂ZnO基稀磁半导体)材料开展了研究。从文献报道结果知道,ZnO掺入Co后晶格常数略有增大,而Cu掺入后晶格常数略有减小,如果控制Co与Cu的共掺杂,就易于得到高温铁磁性的DMS,完全可能使ZnO基DMS的晶格常数跟纯ZnO基本一致,这样就有可能得到既有室温铁磁性,又能保持ZnO光电性能的磁性半导体。本文以乙酸锌和硝酸锌为原料,采用溶胶-凝胶法和固相烧结法两种制备工艺,制备了纳米ZnO粉体以及掺杂Cu、Co、Mg的纳米ZnO粉体,利用X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见光谱(UV-vis)分析、红外光谱(IR)分析等测试手段对样品的物相、结构、光学、磁学等性质进行了研究和分析。显示全部
