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学位论文 Si衬底GaN基LED外延材料的生长与芯片制备
摘要:GaN作为第三代半导体材料,具有宽的禁带宽度、高的电子迁移率以及良好的导热性能等优异的特性,能够被广泛地... 显示全部
关键词: [7756533]SI衬底 氮化镓(GaN) [6570773]发光二极管(LED) 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) 外延生长机理
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