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期刊文章 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
出处:材料导报 2002年第1期 31-35,共5页
摘要:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二... 显示全部
关键词: 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
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期刊文章 GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜
出处:半导体光电 2003年第1期 32-36,共5页
摘要:采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石... 显示全部
关键词: 低温生长 氢等离子体清洗
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期刊文章 高精度高压脉冲电源原理与实验研究
出处:大连理工大学学报 2003年第5期 623-626,共4页
摘要:在脉冲电场非热效应应用中,高精度高压脉冲电源是关键技术之一.利用大功率开关器件(IGBT)配合脉冲升压变压... 显示全部
关键词: 高精度高压脉冲电源 脉冲电场 非热效应 大功率开关器件 复杂可编程逻辑器件 脉冲宽度
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期刊文章 氮化铝单晶薄膜的ECR—PEMOCVD低温生长研究
出处:物理学报 2003年第5期 1240-1244,共5页
摘要:采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在c轴取向的蓝宝石即α-Al2O3(000... 显示全部
关键词: 氮化铝单晶薄膜 低温生长 电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 半导体材料 薄膜
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期刊文章 蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究
出处:半导体学报 2003年第6期 668-672,共5页
摘要:通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬... 显示全部
关键词: 蓝宝石 清洗 氮化
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期刊文章 ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点
出处:半导体光电 2002年第2期 114-117,共4页
摘要:报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出... 显示全部
关键词: 量子点
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