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期刊文章 沉积温度对高Al含量的AlxGa1-xN薄膜的影响
出处:无机材料学报 2010年第4期386-390,共5页
摘要:沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,... 显示全部
关键词: 高铝含量 外延 沉积温度
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