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期刊文章 PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
出处:华中科技大学学报:自然科学版 2010年第12期24-27,共4页
摘要:为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应... 显示全部
关键词: 负偏压温度不稳定性效应 可靠性 阈值电压漂移 占空比 寿命 金属氧化物半导体场效应晶体管
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