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期刊文章 ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
出处:发光学报 2002年第5期 456-460,共5页
摘要:用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力... 显示全部
关键词: 静压 异质结构 直接禁带 间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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