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期刊文章 SiGe衬底离子注入模拟研究
出处:半导体技术 2008年第S1期273-275,279共4页
摘要: 运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入... 显示全部
关键词: 锗硅 离子注入 分子动力学 模拟
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期刊文章 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT
出处:半导体学报 2003年第9期 897-902,共6页
摘要:研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料,研... 显示全部
关键词: 锗硅 异质结双极晶体管 微波功率放大器
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