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期刊文章 SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论
出处:半导体学报 2006年第z1期 72-75,共4页
摘要:用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系,并... 显示全部
关键词: 超晶格 紧束缚理论 多层膜 光致发光
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