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期刊文章 用于SiGe HBT器件的UHV/CVD n^-型硅外延研究
出处:半导体学报 2004年第12期 1666-1671,共6页
摘要:利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n^+型Si衬底上生长了掺Pn型Si外延层.用扩展电阻法分析... 显示全部
关键词: 硅外延 杂质分布
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