摘要：在SOI(Silicon on In sulator)结构硅膜上面生长一层SiGe合金,采用类似SOI CMOS工艺制作成具有 SiGe沟道的S...在SOI(Silicon on In sulator)结构硅膜上面生长一层SiGe合金,采用类似SOI CMOS工艺制作成具有 SiGe沟道的SOI CMOS集成电路.该电路不仅具有SOI CMOS电路的优点,而且因为SiGe 中的载流子迁移率明显高于Si中载流子的迁移率,所以提高了电路的速度和驱动能力.另外由于两种极性的SOI MOSFET都采用SiGe沟道,就避免了只有SOI PMOSFET采用SiGe 沟道带来的选择性生长SiGe层的麻烦.采用二维工艺模拟得到了器件的结构,并以此结构参数进行了器件模拟.模拟结果表明,N沟和P沟两种MOSFET的驱动电流都有所增加,PM OSFET增加得更多一些.显示全部
