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期刊文章 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响
出处:半导体学报 2005年第6期 1164-1168,共5页
摘要:研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响... 显示全部
关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿
期刊文章 VHF—PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备
出处:半导体学报 2002年第9期 902-908,共7页
摘要:采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si:H薄膜,对薄膜的厚... 显示全部
关键词: 微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 沉积速率 结晶度
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