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期刊文章 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
出处:电子学报 1993年第11期 91-94,共4页
摘要:本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方... 显示全部
关键词: 漏电流 氮氧化硅 浅陷阱 击穿
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