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期刊文章 深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
出处:核电子学与探测技术 2013年第6期735-738,774共5页
摘要:总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定... 显示全部
关键词: 总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化
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