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期刊文章 非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型
出处:微电子学 2011年第2期304-309,共6页
摘要:基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:... 显示全部
关键词: 非晶硅薄膜晶体管 栅电容 表面势
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