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期刊文章 MOS器件的X射线辐照效应
出处:微电子学 2005年第5期 497-500,共4页
摘要:研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,辐... 显示全部
关键词: 器件 辐照 剂量率 总剂量 射线
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期刊文章 10keV X射线空间辐照总剂量试验可行性研究
出处:核电子学与探测技术 2005年第3期 291-295,共5页
摘要:传统辐照总剂量试验的辐射源均采用60Co,对环境危害较大.X射线作为辐射源具有安全、剂量率控制准确等优点,... 显示全部
关键词: 总剂量 射线 试验 辐照 空间 辐射源 环境危害 在线测试 栅氧化层 辐射机理 剂量率 硅片 封装
期刊文章 先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响
出处:半导体技术 2006年第10期 738-742,746,共6页
摘要:器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈... 显示全部
关键词: 辐射效应 总剂量 金属 氧化物 半导体场效应晶体管
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