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期刊文章 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT
出处:半导体学报 2003年第9期 897-902,共6页
摘要:研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料,研... 显示全部
关键词: 锗硅 异质结双极晶体管 微波功率放大器
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