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期刊文章 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响
出处:半导体学报 2005年第6期 1164-1168,共5页
摘要:研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响... 显示全部
关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿
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