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期刊文章 弛豫InAs(110)表面的电子结构理论研究
出处:河南大学学报:自然科学版 1998年第1期 1-6,共6页
摘要:采用最近邻的紧束缚的sp^3.s模型,利用形式散射理论的格林函数方法,计算了InAs(110)弛豫... 显示全部
关键词: 能带结构 砷化铟 半导体 弛豫表面 电子结构
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