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期刊文章 多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模
出处:微电子学与计算机 2009年第3期共4页
摘要:讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿效应 泄漏区
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