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期刊文章 非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系
出处:发光学报 2012年第6期 616-623,共8页
摘要:发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布.而芯片温度又影响载流子的输运... 显示全部
关键词: 发光二极管 内量子效率 衬底 温度场
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期刊文章 非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响
出处:科学通报 2012年第23期2231-2236,共6页
摘要:引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量... 显示全部
关键词: 发光二极管 内量子效率 多量子阱 光谱强度 漏电流
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期刊文章 非等温耦合模型下大功率LED特性的研究
出处:工程热物理学报 2012年第4期 647-650,共4页
摘要:本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)... 显示全部
关键词: 发光二极管 多量子阱 内量子效率
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