作　　者： ; (徐海涛）;

机构地区： 华南农业大学

出　　处： 《化学工程与装备》 2018年第2期16-18,共3页

摘　　要： 本文基于CVD系统,提出了采用衬底正置法的单层二硫化钼二维晶体的合成方法,对制备单层二硫化钼二维晶体的生长条件进行探究,并对样品的生长机制进行归纳和总结。若干表征技术的反馈结果表明,采用此方法制备的硫化钼二维晶体具备较高的晶体质量,样品生长在载气空间分布方向上存在最佳位置。

关 键 词： 二维晶体 过渡金属硫化物 单层二硫化钼 化学气相沉积法

领　　域： [电子电信—物理电子学]