导　　师： 罗志

授予学位： 硕士

作　　者： (）;

机构地区： 暨南大学

摘　　要： 随着集成电路的快速发展,传统的Flash存储器面临着物理极限,因此急需寻找下一代非易失性存储器。其中阻变存储器因其结构简单、读取速度快、功耗低、与现有的CMOS工艺兼容等优点,被认为是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文首先研究了CuO薄膜的制备条件,采用射频磁控溅射的方法,通过利用不同反应条件(氧气流量为1sccm,2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm,9sccm,12sccm,15sccm)溅射了Cu氧化物薄膜,发现在氧气流量为2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm时,制备的薄膜为氧化铜薄膜,并通过X射线衍射仪、原子力显微镜等手段对所制备的薄膜进行了表征,发现在氧气流量为5sccm时,薄膜的结晶质量最好。同时研究了CuO薄膜的光学性能,发现在入射波波长为850nm时,薄膜的透过率达到最大。其次,我们研究了不同溅射压强下薄膜的结晶质量与透过率的关系,发现结晶度较好的薄膜其透过率较高,结晶度较差的薄膜其透过率较低。最后,我们研究了电极(Cu,W)和氧气流量(2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm)对器件阻变性能的影响。可以发现Cu/CuO/FTO器件在氧气流量为3sccm,4sccm时具有明显的双极型特性,并且有着良好的保持特性和循环稳定性。而当W作为顶部电极时,W/CuO/FTO器件在氧气流量为3sccm,4sccm,5sccm时具有明显的双极型特性,在氧气流量为2sccm,3sccm和4sccm时有着良好的保持特性,但其稳定性相比于Cu为顶电极时要差。同时我们研究了器件在低温下的电阻特性,发现器件拥有较高的开关比,表现出良好的保持特性。更多还原

关 键 词： CuO薄膜 阻变 [9206150]磁控溅射 [7708536]RRAM

分 类 号： [TP333;TB383.2]

领　　域： [] []