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TFTLCD面板薄化凹坑不良的改善研究

导  师: 文尚胜;王文华

授予学位: 硕士

作  者: ();

机构地区: 华南理工大学

摘  要: TFT-LCD,OLED或其他显示技术的消费IT产品中,轻、薄是两大核心竞争要素。普遍采用缩减产品的玻璃基板厚度,以同时减少厚度及重量,来对应市场竞争。目前薄化玻璃基板厚度的面板生产制程较为困难,玻璃薄化制程应运而生。为达到良好的薄化后玻璃表面效果,需要深入分析薄化工艺及薄化凹坑不良形成机理,对现有工艺流程进行优化改善,以期达到在提升减薄效率和自动化程度的前提下,降低生产成本,提高玻璃薄化后表面质量。本文简要介绍了薄化的原理、薄化的技术分类及薄化的主要工艺流程,让读者对薄化工艺有初步的认识和了解;重点剖析了TFT-LCD面板薄化后凹坑形成机理及各制程关键影响因子,对后续的改善研究方向提供理论指导。针对各制程关键影响因子的改善,本文主要通过调研收集他社接触材料选材资讯及他社薄化凹坑不良的案例分析,并结合我司实际情况,评估风险等级,针对高中风险等级的机构,进行接触机构的优化设计和接触材质的合理选择。同时薄化参数的优化则是通过制定DOE田口实验,输出薄化制程最佳参数。以此,从薄化前、薄化中两个维度全面研究改善,薄化凹坑不良得到有效的改善,薄化凹坑不良率明显低于行业平均水准。另外本文对薄化前各制程设备接触机构的研究成果,对TFT-LCD面板新厂建设阶段的设备结构选型也提供了指导性建议。

关 键 词: 薄化凹坑 机构改善 参数优化

领  域: []

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作者 王育鸿
作者 戴晓真

相关机构对象

机构 华南理工大学
机构 华南理工大学工商管理学院

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