导　　师： 何苗

授予学位： 硕士

作　　者： (）;

机构地区： 广东工业大学

摘　　要： 随着对III族氮化物材料的大量研究,AlGaN基紫外发光二极管（Ultraviolet Light-Emitting Diodes,UV-LEDs）发挥着越来越大的作用。UV-LEDs具有高效可靠等特点,在照明、水和空气净化以及紫外光刻等方面的广泛应用,也逐渐引起人们越来越多的关注。为了更好的满足生产生活中所提出的一些大密度、高亮度等实际需要,就需要更大的注入电流来驱动LED正常工作,那么对UV-LEDs进行有效地研究和制备就非常重要。而在制备LEDs发光器件时,由于在外延材料和结构等方面存在着一些缺陷,这就会影响到LEDs的光电特性和可靠性,缩短使用寿命、加快老化以及大电流密度注入下产热量大而直接导致LEDs失效。本论文主要回顾了目前在AlGaN基UV-LEDs的研究中所存在的一些问题,并针对一些问题进行了大量的调研。主要是从材料的外延生长、器件的制备和性能的表征等方面开展研究,提出了一些制备AlGaN基UV-LEDs的改进方案。所开展的工作,归纳如下:本论文中通过对UV-LEDs结构中的n-AlGaN层进行改进,一方面,采用δ掺杂和调制掺杂取代了均匀掺杂方式,制备了只具有单个n-AlGaN层的UV-LEDs;另一方面,制备了含有两种掺杂浓度、而轻掺杂n-AlGaN（n

关 键 词： 型 光输出 电学性能 可靠性

领　　域： []