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铁离子辅助银纳米线的生长过程及其柔性透明导电薄膜的制备与性能研究

导  师: 贾志欣

授予学位: 硕士

作  者: ;

机构地区: 华南理工大学

摘  要: 随着电子器件和设备朝着可移动、轻便、可弯曲变形的方向发展,新型柔性透明导电薄膜材料得到了快速发展。相较于传统硬质导电材料而言,新型柔性透明导电薄膜材料,不仅具有传统材料优异的光学透明性和低的表面电阻,而且可以在弯曲状态下使用。在各种柔性透明导电薄膜材料中,基于银纳米线的柔性透明导电薄膜因其优异的性能和低的制备成本成为最近十几年的研究热点。银纳米线的制备方法已有很多,其中多元醇还原法是制备银纳米线最常用的方法。但多元醇还原法在制备银纳米线时需加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)来控制银纳米线的生长,导致最终制备的银纳米线表面会有PVP包覆,影响银纳米线的导电性能,而除去PVP的方法又是耗时费力的。因此,本文创新地提出使用离子型辅助剂铁离子作为生长控制剂来制备银纳米线,并重点研究了银纳米线的生长过程。结果表明:铁离子辅助银纳米线的生长主要经历三个阶段,第一阶段银离子被还原生成银晶种,第二阶段晶种继续生长成为初级晶体,第三阶段铁离子通过包覆在银纳米晶体的特定表面,促使初级晶体生长成为银纳米棒,并最终生长为银纳米线。当两条生长中的银纳米线末端相互接触时,有可能“自接合”在一起形成一条具有钝角的银纳米线。比较了不同的阳离子生长控制剂(铜离子、铁离子、亚铁离子)的使用效果,发现只有铁离子能有效促进银纳米线的生成。相较于PVP辅助制备的银纳米线,铁离子辅助制备的银纳米线表面光滑,无有机物包覆,铁离子辅助制备的银纳米线具有更优异的导电性能,且随着铁离子浓度的增加,银纳米线的纯度逐渐提高。在上述研究的基础上,采用旋涂、Meyer棒涂覆和真空抽滤三种不同工艺,以铁离子辅助制备的银纳米线作为导电涂层,制备了柔性透明导电薄膜,系统地研究了�

关 键 词: 银纳米线 铁离子 生长过程 柔性透明导电薄膜 制备方法

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