导　　师： 王磊

授予学位： 硕士

作　　者： (）;

机构地区： 华南理工大学

摘　　要： 随着高分辨率液晶(LCD)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)、电子纸(E-paper)等的新型显示技术的快速发展,这些显示产品对驱动背板的技术要求也越来越高。薄膜晶体管(TFT)是驱动各类显示器件发光的核心器件,其性能高低决定了显示器件的显示效果。当前广泛应用的TFT为非晶硅TFT,但传统非晶硅TFT因其迁移率较低和阈值电压漂移严重,难以应用于高分辨率显示以及OLED显示中;虽然多晶硅TFT具备良好的迁移率和稳定性,但其由于晶界的存在导致均匀性较差,限制了多晶硅TFT在高分辨大尺寸显示的应用。而非晶氧化物TFT同时具备良好的均匀性和迁移率较高的特点,并且透明度高和稳定性较好,能实现低温制程,正在广泛应用于新型显示产品。此外,为了开发性能更优的柔性显示和透明显示产品,可替代ITO的柔性透明导电电极是关键一环。本文首先研究背沟道刻蚀(BCE)结构的氧化物TFT工艺。BCE结构是氧化物TFT大规模量产的低成本工艺,因为BCE工艺不仅结构简单,还可以实现小型精细化器件。但由于氧化物TFT的氧化物有源层对刻蚀液以及Plasma工艺敏感,因此在制备源/漏(S/D)电极时,氧化物有源层容易被刻蚀损坏,导致难以制备高性能的TFT器件。在众多氧化物半导体材料中,氧化锡薄膜具备良好的化学稳定性和光电特能。所以本论文主要研究锡掺杂的氧化锌薄膜(ZTO)在背沟道刻蚀工艺中作为保护层的相关技术,同时ZTO材料还可以作为BCE结构TFT的第二层有源层,形成双层结构的TFT。本论文采用溶液法制备ZTO薄膜,可以减少真空设备的使用,工艺简单,可实现TFT器件的大规模低成本制备。在本文中采用溶液法制备的ZTO薄膜作为保护层的TFT的性能可以媲美真空溅射相同结构的TFT。其次针对新型显示中ITO透明导电薄膜目前存在的不耐弯折、成本高等问题,开展银纳米�

关 键 词： 新型显示技术 掺杂氧化锌薄膜 透明导电薄膜 背沟道刻蚀 薄膜晶体管

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